Поделиться
В России запатентовали фотодиоды для систем ночного видения с расширенным ИК-диапазоном
Российские ученые запатентовали фотодиоды с расширенным ИК-диапазоном, которые позволяют получать более детальное изображение в приборах ночного видения. Исследователи уверены, что их детекторы смогут заменить импортные.
Расширенный диапазон
Ученые из Санкт-Петербурга (Алферовский университет и ООО «Иоффе-ЛЕД») и Великого Новгорода (АО «ОКБ-Планета») запатентовали первые в России чувствительные к электромагнитному излучению фотодиоды с ИК-диапазоном вдвое шире, чем у существующих отечественных аналогов, сообщили CNews в Алферовском университете (СпбАУ).
Ранее такие датчики работали только в ближнем ИК-диапазоне (0,9–1,7 мкм), но благодаря увеличению доли индия в кристаллах чувствительность удалось расширить до 2,65 мкм — почти до границы среднего инфракрасного диапазона, пояснили исследователи.
Такие диоды можно использовать при создании усовершенствованных приборов ночного видения. Расширенный диапазон чувствительности позволит им получать более детализированное изображение, комбинируя данные от отраженного света и теплового излучения объектов, что важно в сложных условиях (полная облачность, высокая влажность), отметила младший научный сотрудник лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники СпбАУ Елена Василькова.
Технология также будет востребована у создателей высокочувствительных газовых сенсоров, измеряющих, например, концентрацию парниковых газов.
Диоды на замену импортным
Исследователям оптимизировали состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs), который используется в инфракрасных фотоприемниках.
Им также удалось решить проблему высокой плотности дефектов. Для этого использовалось уникальное оборудование для выращивания полупроводников, находящееся в Алфероском университете.
По словам представителей СпбАУ, в сотрудничестве с промышленными партнерами им удалось создать фотодиоды, характеристики которых соответствуют лучшим мировым образцам.
«Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам», — сказал заведующий лабораторией перспективных гетероструктур СВЧ микроэлектроники Алферовского университета Максим Соболев.
Короткая ссылка
